بررسی تأثیر میدان مغناطیسی بر دایودهای نورگسیل آلی

در سال های اخیر توجه بسیاری به دایودهای نورگسیل آلی شده است. ساخت آسان, مصرف انرژی کم و قابلیت ساخت این دایودها بر روی لایه های بزرگ, نازک و حتی انعطاف پذیر، از ویژگی های مهم این نوع دایودهاست. با توجه به این ویژگی ها، دایودهای نور گسیل آلی می-توانند منابع نوری خوبی جهت استفاده در نمایشگرها و کاربردهای نوری دیگر باشند. تاثیر میدان مغناطیسی بر روی دایودهای نور گسیل آلی برای اولین بار در سال 2003 کشف شد. پس از آن آزمایش های بسیاری بر روی این اثر, که اثر omr(organic magnetoresistance) نامیده شده بود انجام گرفت. مشاهدات اولیه نشان دادند که با استفاده از اثر omr می توان نوع جدیدی از سنسورهای میدان مغناطیسی ساخت. همچنین با استفاده از این اثر می توان راندمان دایودهای نور گسیل آلی را افزایش داد. قبل از آنکه بتوان اثر omr را در کاربردهای عملی وارد کرد لازم است سرچشمه میکروسکوپی این اثر را یافت و راه هایی برای کنترل آن معرفی کرد. در این پایان نامه چهار مدل که برای توصیف اثر omr ارئه شده اند بررسی شده است. از بین این چهار مدل، مدل جفت الکترون- حفره مورد بررسی بیشتری قرار گرفته است و فرمول بندی آن ارائه شده است. در آخر نتایج تجربی ارائه داده شده را, با نتایج مدل جفت الکترون- حفره مطابقت دادیم تا معلوم شود این مدل چقدر با نتایج تجربی سازگار است.